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Instituto de Pesquisas Energéticas e Nucleares

Ciência e Tecnologia a serviço da vida

 

Laboratório de Desenvolvimento de Novos Tipos de Detectores de Radiação

1. Detectores Gasosos

O objetivo de nosso trabalho na área de detectores gasosos atualmente é o de medir os parâmetros de transporte mais importantes de elétrons em gases para simulação e modelagem de detectors gasosos e descargas em plasmas elevados campos elétricos uniformes. Aplicamos a técnica de Townsend Pulsada, em uma câmara de eletrodo resistivo onde a ionização primária no gás é produzida por um feixe de nitrogênio ultra-rápido que incide em um eletrodo metálico (catodo). Os sinais induzidos pelo movimento dos elétrons são digitalizados em um osciloscópio de 1GHz. Uma série de dados para gases como nitrogênio, isobutano, butano foram medidos e encontra-se em andamento estudo de gases usados em microdosimetria. Esta linha de pesquisa foi financiada pela FAPESP (processo 02/04697-1) e pelo CNPq (478859/2009-0 e 479079/2010-2.

2. Detectores Semicondutores

Uso de fotodiodos de Si de baixo custo para Dosimetria em Processamento por Radiação

Fotodiodos de Si do tipo PIN comerciais (SFH 00206, 7,3mm2) têm sido utilizados como dosímetros de rotina para irradiações no Irradiador Panorâmico de Cobalto-60 instalado no Centro de Tecnologia das Radiações do IPEN-CNEN/SP, com taxa de dose 8.1 Gy/h-125 Gy/h. Para doses de até 15 kGy, não foi observado dano de radiação e a reprodutibilidade da resposta do diodo foi melhor que 3%. Devido a sua excelente resolução especial, esses diodos permitiram o mapeamento da taxa de dose do irradiador, bem como sua medida de dose de trânsito.

Diodos Epitaxiais como dosímetros de altas doses de radiação gama

Diodos Epitaxiais com 25mm2de área e tolerantes à radiação processados na Universidade de Hamburgo têm sido utilizados com sucesso como dosímetros on-line para: a) radiodiagnóstico, mamografia e tomografia computadorizada no interval de 28 kV a 150 kV com dose total de 200kGy; b) processamento por radiação com doses de até5MGy; feixes clínicos de elétrons e radiação gama. Nestas aplicações estes diodos apresentam resposta linear. Trabalho parcialmente financiado pelo CNPq, processo 480167/2011-7.


 

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